8英寸导电型4H-SiC衬底
8英寸导电型4H-SiC衬底

8英寸导电型4H-SiC衬底

详细
6英寸导电型4H-SiC衬底
6英寸导电型4H-SiC衬底

6英寸导电型4H-SiC衬底

直径：(150 ± 0.2) mm
厚度：(350 ± 25) μm
导电类型：n-type
晶面取向：(0001) 向 [11-2 0]偏4度
应用方向：SiC同质外延
产品类型：抛...
详细
碳化硅籽晶
碳化硅籽晶

碳化硅籽晶

直径：103mm 或 153 mm
厚度：500 μm 或 1.0 mm
导电类型：N型 或者 半绝缘型
晶面取向：(0001) 或者 偏角 0~6 度
应用方向：应用于4、6...
详细
异型碳化硅衬底定制
异型碳化硅衬底定制

异型碳化硅衬底定制

定制尺寸：10*10mm，20*20mm ，客户定制等
厚度：350 μm 或 500 μm ，客户定制等
导电类型：半绝缘型或者N型
晶面取向：(0001) 或者 ...
详细
4英寸半绝缘型4H-SiC衬底
4英寸半绝缘型4H-SiC衬底

4英寸半绝缘型4H-SiC衬底

直径：(100.0 + 0.0/-0.5) mm
厚度：(500.0 ± 25.0) μm
导电类型：半绝缘
晶面取向：(0001)
应用方向：GaN等异质外延
产品类型：抛光片...
详细
当前页：1/1 首页 上一页 [1] 下一页 尾页