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8英寸导电型4H-SiC衬底
8英寸导电型4H-SiC衬底

8英寸导电型4H-SiC衬底

详细
6英寸导电型4H-SiC衬底
6英寸导电型4H-SiC衬底

6英寸导电型4H-SiC衬底

直径:(150 ± 0.2) mm
厚度:(350 ± 25) μm
导电类型:n-type
晶面取向:(0001) 向 [11-2 0]偏4度
应用方向:SiC同质外延
产品类型:抛...
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碳化硅籽晶
碳化硅籽晶

碳化硅籽晶

直径:103mm 或 153 mm
厚度:500 μm 或 1.0 mm
导电类型:N型 或者 半绝缘型
晶面取向:(0001) 或者 偏角 0~6 度
应用方向:应用于4、6...
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异型碳化硅衬底定制
异型碳化硅衬底定制

异型碳化硅衬底定制

定制尺寸:10*10mm,20*20mm ,客户定制等
厚度:350 μm 或 500 μm ,客户定制等
导电类型:半绝缘型或者N型
晶面取向:(0001) 或者 ...
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4英寸半绝缘型4H-SiC衬底
4英寸半绝缘型4H-SiC衬底

4英寸半绝缘型4H-SiC衬底

直径:(100.0 + 0.0/-0.5) mm
厚度:(500.0 ± 25.0) μm
导电类型:半绝缘
晶面取向:(0001)
应用方向:GaN等异质外延
产品类型:抛光片...
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