直径:103mm 或 153 mm
厚度:500 μm 或 1.0 mm
导电类型:N型 或者 半绝缘型
晶面取向:(0001) 或者 偏角 0~6 度
应用方向:应用于4、6英寸晶体生长
产品类型:Si面 或者 C面抛光
衬底规格 | 6英寸导电型 | 4英寸导电型 |
产品分级 | “S” 籽晶级 | “S” 籽晶级 |
晶型 | 4H | 4H |
直径 | (153.0 ± 0.5) mm | (103.0 ± 0.5) mm |
厚度 | (500 ± 25) μm | (500 ± 25) μm |
导电类型 | n-type | n-type |
掺杂元素 | Nitrogen | Nitrogen |
电阻率范围(Ω·cm) | 0.015 – 0.028 | 0.015 – 0.028 |
表面粗糙度 | ≤ 0.3 nm (C-face CMP); ≤2 nm (Si-face optical polish) | |
表面处理 | Double face polished, C face CMP | |
X射线半峰宽 | ≤60 arcsec | ≤60 arcsec |
微管密度 | ≤0.1 cm-2 | ≤0.1 cm-2 |
总厚度变化(TTV) | ≤ 10μm | ≤ 5μm |
局部厚度变化(5*5mm2)(LTV) | ≤ 3μm | ≤ 3μm |
弯曲度(Bow) | ≤ 30μm | ≤ 15μm |
翘曲度(Warp) | ≤ 40μm | ≤ 30μm |
表面取向 | {0001} ± 0.2° | {0001} ± 0.2° |
偏轴 | 4° toward [11-20] ± 0.5° | |
主参考边取向 | // [11-20] ± 5.0° | |
主参考边长度 | 10.0 mm ± 2.0 mm | |
包装 | 单片或者25片包装 | |
裂纹(强光灯观察) | 无 | 无 |
六方空洞(强光灯观察) | 无 | 无 |
多型区(强光灯观察) | 无 | 无 |
碳包裹物(日光灯观察) | Cumulative area≤0.05% | Cumulative area≤0.05% |
划痕(强光灯观察) | 无 | 无 |
崩边/缺口(日光灯观察) | 无 | 无 |
表面沾污 (强光灯观察) | 无 | 无 |
边缘去除 | 3mm | 3mm |