直径：103mm 或 153 mm
厚度：500 μm 或 1.0 mm
导电类型：N型 或者 半绝缘型
晶面取向：(0001) 或者 偏角 0~6 度
应用方向：应用于4、6英寸晶体生长
产品类型：Si面 或者 C面抛光
碳化硅籽晶
产品规格
| 衬底规格 | 6英寸导电型 | 4英寸导电型 |
| 产品分级 | “S” 籽晶级 | “S” 籽晶级 |
| 晶型 | 4H | 4H |
| 直径 | (153.0 ± 0.5) mm | (103.0 ± 0.5) mm |
| 厚度 | (500 ± 25) μm | (500 ± 25) μm |
| 导电类型 | n-type | n-type |
| 掺杂元素 | Nitrogen | Nitrogen |
| 电阻率范围（Ω·cm） | 0.015 – 0.028 | 0.015 – 0.028 |
| 表面粗糙度 | ≤ 0.3 nm (C-face CMP); ≤2 nm (Si-face optical polish) | |
| 表面处理 | Double face polished, C face CMP | |
| X射线半峰宽 | ≤60 arcsec | ≤60 arcsec |
| 微管密度 | ≤0.1 cm-2 | ≤0.1 cm-2 |
| 总厚度变化（TTV） | ≤ 10μm | ≤ 5μm |
| 局部厚度变化（5*5mm2）（LTV） | ≤ 3μm | ≤ 3μm |
| 弯曲度（Bow） | ≤ 30μm | ≤ 15μm |
| 翘曲度（Warp） | ≤ 40μm | ≤ 30μm |
| 表面取向 | {0001} ± 0.2° | {0001} ± 0.2° |
| 偏轴 | 4° toward [11-20] ± 0.5° | |
| 主参考边取向 | // [11-20] ± 5.0° | |
| 主参考边长度 | 10.0 mm ± 2.0 mm | |
| 包装 | 单片或者25片包装 | |
| 裂纹（强光灯观察） | 无 | 无 |
| 六方空洞（强光灯观察） | 无 | 无 |
| 多型区（强光灯观察） | 无 | 无 |
| 碳包裹物（日光灯观察） | Cumulative area≤0.05% | Cumulative area≤0.05% |
| 划痕（强光灯观察） | 无 | 无 |
| 崩边/缺口（日光灯观察） | 无 | 无 |
| 表面沾污 （强光灯观察） | 无 | 无 |
| 边缘去除 | 3mm | 3mm |