碳化硅籽晶

直径:103mm 或 153 mm
厚度:500 μm 或 1.0 mm
导电类型:N型 或者 半绝缘型
晶面取向:(0001) 或者 偏角 0~6 度
应用方向:应用于4、6英寸晶体生长
产品类型:Si面 或者 C面抛光

产品规格

衬底规格 6英寸导电型 4英寸导电型
产品分级 “S” 籽晶级 “S” 籽晶级
晶型 4H 4H
直径 (153.0 ± 0.5) mm (103.0 ± 0.5) mm
厚度 (500 ± 25) μm (500 ± 25) μm
导电类型 n-type n-type
掺杂元素 Nitrogen Nitrogen
电阻率范围(Ω·cm) 0.015 – 0.028 0.015 – 0.028
表面粗糙度 ≤ 0.3 nm (C-face CMP); ≤2 nm (Si-face optical polish)
表面处理 Double face polished,  C face CMP
X射线半峰宽 ≤60 arcsec ≤60 arcsec
微管密度 ≤0.1 cm-2 ≤0.1 cm-2
总厚度变化(TTV) ≤ 10μm ≤ 5μm
局部厚度变化(5*5mm2)(LTV) ≤ 3μm ≤ 3μm
弯曲度(Bow) ≤ 30μm ≤ 15μm
翘曲度(Warp) ≤ 40μm ≤ 30μm
表面取向 {0001} ± 0.2° {0001} ± 0.2°
偏轴 4° toward [11-20] ± 0.5°
主参考边取向 // [11-20] ± 5.0°
主参考边长度 10.0 mm ± 2.0 mm
包装 单片或者25片包装
裂纹(强光灯观察)
六方空洞(强光灯观察)
多型区(强光灯观察)
碳包裹物(日光灯观察) Cumulative area≤0.05% Cumulative area≤0.05%
划痕(强光灯观察)
崩边/缺口(日光灯观察)
表面沾污 (强光灯观察)
边缘去除 3mm 3mm