衬底片面型轮廓检测

       利用碳化硅衬底上下表面与光相互作用的干涉图案，可以分析碳化硅衬底的厚度变化（TTV和LTV），衬底的翘曲度（warp）和弯曲度（bow）等重要的衬底面型指标。

抛光片或外延片的表面缺陷分析

       利用激光在衬底表面的散射，可以分析衬底表面上的颗粒大小和缺陷形态，通过激光对衬底表面的面扫描，可以获得衬底上颗粒和缺陷的面分布情况，同时在光致发光（PL）功能模块的帮助下，可以进一步分析衬底内部的缺陷复合中心，为衬底质量评估提供更全面的信息。

各种类型衬底片表面粗糙度分析

       通过原子力探针（AFM）的快速敲击和扫描衬底表面，获得表面相关的纳米级别的高低起伏等信息，提供衬底表面粗糙度的定量分析。

晶体和衬底片的结晶质量分析

       通过测量X射线摇摆曲线，获得衬底或者晶体某一晶面的衍射峰强度和角度分布，根据衍射信号半峰宽的大小来判定晶面间距的一致性，进而判定结晶质量。

SiC多型面分布检测

       不同结晶组分的碳化硅在衬底中的分布，是通过对衬底面扫描获得Raman信号来实现的。由于4H晶型和6H晶型的碳化硅具有不同的Raman信号峰，因此通过选定峰位范围的光强收集，可以区分出不同区域的晶型。

衬底片或外延片的电阻率检测

        导电型碳化硅的电阻率是通过涡流法进行检测的，导电线圈在导电衬底上形成涡流，涡流产生磁场变化被传感器侦测到，可以计算出衬底的方块电阻，涡流的检测原理如下左图所示；半绝缘型碳化硅的电阻率是通过电容探针法进行检测的，在衬底上施加电压的瞬间，通过侦测电荷的变化，来计算衬底的电阻率，该检测原理如下图所示

衬底位错密度和微管密度面分布检测

        要获取碳化硅衬底位错密度和微管密度分布的信息，首先在高温熔融氢氧化钾中腐蚀碳化硅衬底片，然后在光学显微镜或者类似的光学成像系统中，进行分区域的图像识别，并计算单位面积（视场）的对应缺陷密度，由于不同的缺陷类型，如螺位错（TSD）、刃位错（TED）、基平面位错（BPD）和微管（MPD）有自己的典型图案特征，因此可以通过计算机图像识别加以区分。