直径：(150 ± 0.2) mm
厚度：(350 ± 25) μm
导电类型：n-type
晶面取向：(0001) 向 [11-2 0]偏4度
应用方向：SiC同质外延
产品类型：抛光片（Epi-ready）
6英寸导电型4H-SiC衬底
产品规格
| 产品分级 | “P” 工业级 | “R” 研究级 | “D” 测试级 |
| 晶型 | 4H | ||
| 直径 | (150.0 ± 0.2) mm | ||
| 厚度 | (350 ± 25) μm | ||
| 导电类型 | n-type | ||
| 掺杂元素 | Nitrogen | ||
| 电阻率范围（Ω·cm） | 0.015 – 0.028 | 0.015 – 0.028 | 0.015 – 0.028（75% area） |
| 表面粗糙度 | ≤ 0.3 nm (Si-face); ≤0.5 nm (C- face) | ||
| 表面处理 | Double face CMP, Si face Epi-ready | ||
| X射线半峰宽 | ≤60 arcsec | ||
| 微管密度 | ≤0.5 cm-2 | ≤2 cm-2 | ≤20 cm-2 |
| 总厚度变化（TTV） | ≤ 10μm | ≤ 10μm | ≤ 15μm |
| 局部厚度变化（10mm2）（LTV） | ≤ 3μm | ≤ 5μm | |
| 弯曲度（Bow） | ≤ 30μm | ≤ 40μm | |
| 翘曲度（Warp） | ≤ 40μm | ≤ 60μm | |
| 表面取向 | {0001} ± 0.2° | ||
| 偏轴 | 4° toward [11-20] ± 0.5° | ||
| 主参考边取向 | // [11-20] ± 5.0° | ||
| 主参考边长度 | 47.5 mm ± 2.0 mm | ||
| 副参考边取向 | NA | ||
| 副参考边长度 | NA | ||
| 包装 | 单片或者25片包装 | ||
| 裂纹（强光灯观察） | 无 | 无 | 无 |
| 六方空洞（强光灯观察） | 无 | ≤100μm , Qty≤10 | Cumulative area≤5% |
| 多型区（强光灯观察） | 无 | 无 | Cumulative area≤5% |
| 碳包裹物（日光灯观察） | Cumulative area≤0.05% | Cumulative area≤3% | Cumulative area≤5% |
| 划痕（强光灯观察） | Cumulative length ≤0.5 x wafer diameter Qty≤5 |
Cumulative length ≤1 x wafer diameter |
Cumulative length ≤1.5 x wafer diameter |
| 崩边/缺口（日光灯观察） | 无 | 2 allowed,≤1mm each | 5 allowed,≤1mm each |
| 表面沾污 （强光灯观察） | 无 | ||
| 边缘去除 | 3mm | ||