六寸导电型晶锭与四寸半绝缘晶锭

     4英寸半绝缘型碳化硅晶体，微管密度<0.5cm^-2，电阻率＞10⁶Ω·cm，无明显裂纹、包裹体、多型等缺陷，产品符合行业工业级标准，处于行业领先水平。

     6英寸导电型碳化硅微管密度<0.1cm^-2，总位错密度＜8000cm^-2，电阻率为0.015~0.025Ω·cm，无明显裂纹、包裹体、多型等缺陷，产品符合行业工业级标准，处于行业领先水平。

激光剥离技术

        乾晶半导体研发新型的切片技术，有望解决碳化硅加工过程中材料损耗大的问题，工艺路线如下图所示。激光剥离技术的核心是利用激光脉冲在晶锭内部预设深度形成碳化硅的非晶化破坏层，再借助外力作用，使晶片从非晶化层处分离，从而获得目标厚度的晶片。通过激光剥离获得晶片的方法，加工过程材料损耗低，晶圆表面缺陷层厚度小，总材料损耗率可降低到20%左右，有望极大降低晶片的成本。与多线切割相比，激光加工过程无废液产生，对环境更加友好。激光加工不受材料硬度的限制，对于超硬材料具有很好的加工效率。

        此项技术不仅可以应用在碳化硅的切片领域，对于器件加工后的碳化硅和氮化镓衬底再利用同样具有应用的前景，可降低昂贵衬底上的器件单位成本。目前团队正在优化激光加工工艺和剥离技术，并寻求该技术的产业化合作。

8英寸导电型碳化硅

     在大尺寸碳化硅（SiC）单晶生长及其衬底制备方面取得突破。采用多段式电阻加热的物理气相传输（PVT）法生长了厚度达27毫米的8英寸n型碳化硅单晶锭，并加工获得了8英寸碳化硅衬底。