8英寸导电型碳化硅晶锭 | 乾晶半导体

8英寸导电型碳化硅晶锭

直径：(200.0± 0.2) mm
厚度：10 ~ 20 mm
导电类型：n-type
晶面取向：(0001) 向 [11-2 0]偏4度
产品类型：晶锭

产品规格

产品分级	P级(Product grade)	D级(Dummy grade)
直径	(200.0 ± 0.2) mm
厚度	≥10mm
导电类型	n-type
掺杂元素	Nitrogen
电阻率范围（Ω·cm）	0.015 – 0.028	0.015 – 0.028(75% area)
微管密度	≤1 cm^-2	≤10 cm^-2
表面取向	4° toward [11-20] ± 0.5°
包装	单锭包装，真空包装
边缘裂纹（强光灯观察）	0
六方空洞（强光灯观察）	0	≤100um, Qty ≤ 10 ea
多型区（强光灯观察）	0	Cumulative area ≤ 5%
碳包裹物（强光灯观察）	Cumulative area≤0.05%	Cumulative area≤3%
崩边/缺口（日光灯观察）	≤3ea ,≤1mm width and depth	≤5ea ,≤2mm width and depth