直径：(100.0 ± 0.25) mm
厚度：10~20 mm
导电类型：半绝缘
晶面取向：(0001)
产品类型：晶锭
4英寸半绝缘碳化硅晶锭
产品规格
| 产品分级 | “P” 工业级 | “R” 研究级 | “D” 测试级 |
| 晶型 | 4H | ||
| 直径 | (100 ± 0.5) mm | ||
| 厚度 | ≥15mm | ||
| 导电类型 | 半绝缘 | ||
| 掺杂元素 | - | ||
| 电阻率范围（Ω·cm） | ≥1E7 Ω.cm | ≥1E7 Ω.cm | 75% area≥1E7 Ω.cm |
| 微管密度 | ≤0.5 cm-2 | ≤2 cm-2 | ≤20 cm-2 |
| 表面取向 | {0001} ± 0.2° | ||
| 偏轴 | - | ||
| 主参考边取向 | // [11-20] ± 5.0° | ||
| 主参考边长度 | 32.5 mm ± 2.0 mm | ||
| 副参考边取向 | Silicon face up: 90° CW. from Prime flat ±5.0° | ||
| 副参考边长度 | 18.0 mm ± 2.0 mm | ||
| 包装 | 单锭包装，真空包装 | ||
| 边缘裂纹（强光灯观察） | ≤1mm in radial，Qty≤3ea | ≤1mm in radial，Qty≤5ea | ≤3mm in radial，Qty≤5ea |
| 六方空洞（强光灯观察） | size < 1mm, Cumulative area < 1% | size < 1mm, Cumulative area < 3% | Cumulative area < 5% |
| 多型区（强光灯观察） | 无 | Cumulative area ≤ 3% | Cumulative area ≤ 5% |
| 碳包裹物（日光灯观察） | Cumulative area≤0.05% | Cumulative area≤3% | Cumulative area≤5% |
| 崩边/缺口（日光灯观察） | ≤1ea ,≤1mm width and depth | ≤2ea ,≤2mm width and depth | ≤5ea ,≤2mm width and depth |