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8英寸导电型碳化硅研制成功

近期经过技术攻关,在大尺寸碳化硅(SiC)单晶生长及其衬底制备方面取得突破。采用多段式电阻加热的物理气相传输(PVT)法生长了厚度达27毫米的8英寸n型碳化硅单晶锭,并加工获得了8英寸碳化硅衬底片,成功跻身于8英寸碳化硅俱乐部。

详细报道:  https://mp.weixin.qq.com/s/TmcsuzcbibC10nUDXdtwfw